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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Synthesis, characterization and growth mechanism of zno nanowires on nicl2-coated si substrates 期刊论文 Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 765-770 作者:  Zhuang, Huizhao;  Wang, Jie;  Li, Junlin;  Xu, Peng;  Shi, Feng 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of built-in electric field in photovoltaic inas quantum dot embedded gaas solar cell 期刊论文 Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341 作者:  Shang, X. J.;  He, J. F.;  Wang, H. L.;  Li, M. F.;  Zhu, Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341 作者:  He JF;  Li MF 收藏  |  浏览/下载：40/1  |  提交时间：2011/07/05 INTERMEDIATE-BAND  TRANSITIONS   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN