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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Variability Induced by Line Edge Roughness in Double-Gate Dopant-Segregated Schottky MOSFETs 期刊论文 ieee 纳米技术汇刊, 2011 Yang, Yunxiang; Yu, Shimeng; Zeng, Lang; Du, Gang; Kang, Jinfeng; Zhao, Yuning; Han, Ruqi; Liu, Xiaoyan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Dopant-segregated Schottky MOSFETs (DSS-MOSFETs)  line edge roughness (LER)  Schottky barrier (SB)  technology computer-aided design (TCAD) simulation  variations  INTRINSIC PARAMETER FLUCTUATIONS  FINFET MATCHING PERFORMANCE  BARRIER  DECANANOMETER  IMPACT