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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MOS capacitance - Voltage characteristics II Sensitivity of electronic trapping at dopant impurity from parameter variations 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/32/12/121001, 2011 Jie, Binbi; Sah, Chihtan; 揭斌斌 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22 Electron traps  Electrons  Ground state  Impurities  MOS capacitors  Optical signal processing  Sensitivity analysis  Vanadium   MOS capacitance-voltage characteristics from electron-trapping at dopant donor impurity 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/32/4/041001, 2011 Jie, Binbi; Sah, Chihtan; 揭斌斌 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22 Capacitance  DC power transmission  Nanotechnology  Point defects  Signal processing   MOS capacitance - Voltage characteristics III Trapping capacitance from 2-charge-state impurities 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/32/12/121002, 2011 Jie, Binbi; Sah, Chihtan; 揭斌斌 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/07/22 Hole traps  Impurities  MOS capacitors  Optical signal processing  Silicon