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科研机构
厦门大学 [4]
上海微系统与信息技术... [1]
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [6]
学科主题
光电子学 [1]
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共6条,第1-6条
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发表日期:2011
内容类型:期刊论文
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循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究
期刊论文
2011
胡美娇
;
李成
;
徐剑芳
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/05/17
GeOI
氧化
退火
光致发光谱
GeOI
thermal oxidation
thermal annealing
photoluminescence
Si基外延Ge薄膜及退火对其特性的影响研究
期刊论文
2011
郑元宇
;
李成
;
陈阳华
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/05/17
Si基Ge薄膜
退火
张应变
互扩散
Ge thin films on Si substrate
thermal annealing
tensile strain
intermixing
Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展
期刊论文
2011
黄诗浩
;
李成
;
陈城钊
;
郑元宇
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/05/17
Si基外延Ge
应变
掺杂
光致发光
电致发光
Ge epitaxy
strain
doping
photoluminescence
light emitters
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜
期刊论文
2011
周志文
;
贺敬凯
;
李成
;
余金中
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2016/05/17
Ge薄膜
低温缓冲层技术
表面形貌
超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)
Ge epitaxial films
low-temperature buffer technique
surface morphology
ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHV-CVD)
体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料
期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 期号: 02
薛忠营
;
张波
;
魏星
;
张苗
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/13
外延
应变
锗硅
SGOI
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜
期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文
;
贺敬凯
;
李成
;
余金中
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/07/17
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