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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459 Wu H; Gan HD; Zheng HZ; Lu J; Zhu H; Ji Y; Li GR; Zhao JH 收藏  |  浏览/下载：65/5  |  提交时间：2011/07/05 Magnetic semiconductors  Molecular beam epitaxy  Magneto-optical effects  TRANSPORT-PROPERTIES  SEMICONDUCTOR  (GA,CR)AS   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：108/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE   Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of MnAs epilayer grown on GaAs (110) 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.125 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：38/1  |  提交时间：2011/07/05 MAGNETIC-PROPERTIES  GAAS(001)  FILMS  ORDER  NANOCLUSTERS  EPITAXY   Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  QUANTUM WIRES  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  FIELD  GAMNN   Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.20703 作者:  Yang XH;  He JF 收藏  |  浏览/下载：57/7  |  提交时间：2011/07/05 V-groove substrate  quantum wires  GaAs  EPITAXIAL-GROWTH  TRANSISTOR   Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148 Yang GD; Zhu F; Dong S 收藏  |  浏览/下载：71/2  |  提交时间：2011/07/05 Diffusion  Physical vapor deposition processes  Magnetic materials  Semiconducting III-V materials  GASB/MN DIGITAL ALLOYS  ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM  RAMAN-SCATTERING  MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES  EPITAXIAL LAYERS  THIN-FILMS  SEMICONDUCTORS  STRAIN  MAGNETOELECTRONICS  SPINTRONICS   Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD