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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
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Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
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提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
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