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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An intermediate-band-assisted avalanche multiplication in InAs/InGaAs quantum dots-in-well infrared photodetector 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.73504 Lin L; Zhen HL; Zhou XH; Li N; Lu W; Liu FQ 收藏  |  浏览/下载：43/5  |  提交时间：2011/07/05 DETECTORS  RESPONSIVITY   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES