QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First-principles study of UC2 and U2C3 期刊论文 journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222 Shi HL (Shi Hongliang); Zhang P (Zhang Ping); Li SS (Li Shu-Shen); Wang BT (Wang Baotian); Sun B (Sun Bo) 收藏  |  浏览/下载：79/12  |  提交时间：2010/04/21 First-principle calculation  GGA plus U  Elastic constants  Chemical bonding  Valence state  BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS  CARBIDES  SPECTRA  METALS   Origins of magnetism in transition metal doped Cul 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043713 Wang J (Wang Jing); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen) 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2010/10/11 AUGMENTED-WAVE METHOD  OPTICAL-PROPERTIES  CUPROUS HALIDES  COPPER HALIDES  BAND-STRUCTURE  CUBR  PHOTOEMISSION  PRESSURE  DENSITY  STATES   Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：59/1  |  提交时间：2011/07/05 BAND-GAP  INDIUM NITRIDE  TRANSPORT  EMISSION   Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Qiu YX (Qiu Y. X.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/12/12 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence  MISFIT DISLOCATIONS  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP  EPILAYERS  GENERATION  ALLOYS  INN