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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [4]
学科主题
光电子学 [2]
半导体物理 [2]
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发表日期:2010
专题:半导体研究所
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First-principles study of UC2 and U2C3
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Wang BT (Wang Baotian)
;
Sun B (Sun Bo)
收藏
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浏览/下载:79/12
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提交时间:2010/04/21
First-principle calculation
GGA plus U
Elastic constants
Chemical bonding
Valence state
BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
CARBIDES
SPECTRA
METALS
Origins of magnetism in transition metal doped Cul
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043713
Wang J (Wang Jing)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
收藏
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/10/11
AUGMENTED-WAVE METHOD
OPTICAL-PROPERTIES
CUPROUS HALIDES
COPPER HALIDES
BAND-STRUCTURE
CUBR
PHOTOEMISSION
PRESSURE
DENSITY
STATES
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:59/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
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