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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio 期刊论文 Applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 8, 页码: 3 作者:  Yang, Xiaohong;  Xu, Xiulai;  Wang, Xiuping;  Ni, Haiqiao;  Han, Qin 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Iii-v semiconductors  Indium compounds  Laser beam applications  Nanoelectronics  Photoelectric devices  Photoelectricity  Phototransistors  Semiconductor quantum dots   Compact Reconfigurable Binary-Decision-Diagram Logic Circuit on a GaAs Nanowire Network 期刊论文 applied physics express, 2010, 卷号: 3, 期号: 2, 页码: art. no. 025002 Shiratori Y (Shiratori Yuta); Miura K (Miura Kensuke); Jia R (Jia Rui); Wu NJ (Wu Nan-Jian); Kasai S (Kasai Seiya) 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/04/22 WRAP GATE CONTROL  ARCHITECTURE   Small-Signal Equivalent-Circuit Model and Characterization of 1.55-mu m Buried Tunnel Junction Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers 期刊论文 ieee transactions on microwave theory and techniques, 2010, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 1283-1289 Zhu NH (Zhu Ning Hua); Xu GZ (Xu Gui Zhi); Hofmann W (Hofmann Werner); Chen W (Chen Wei); Bohm G (Boehm Gerhard); Liu; Y (Liu Yu); Wang X (Wang Xin); Xie L (Xie Liang); Amann MC (Amann Markus-Christian) 收藏  |  浏览/下载：120/1  |  提交时间：2010/06/04 Equivalent-circuit model  optical modulation  scattering parameters  semiconductor lasers  vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)   Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 8, 页码: art. no. 083503 Yang XH (Yang Xiaohong); Xu XL (Xu Xiulai); Wang XP (Wang Xiuping); Ni HQ (Ni Haiqiao); Han Q (Han Qin); Niu ZC (Niu Zhichuan); Williams DA (Williams David A.) 收藏  |  浏览/下载：69/2  |  提交时间：2010/04/22 III-V semiconductors  indium compounds  laser beam applications  nanoelectronics  photoelectric devices  photoelectricity  phototransistors  semiconductor quantum dots  I-N JUNCTIONS   Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers 期刊论文 solid-state electronics, 2010, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 4-7 Chen J; Wang X; Wu AM; Zhang B; Wang X; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/04/04 FABRICATION  SILICON  MEMS  NITRIDE