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具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101752312A, 申请日期: 2010-06-23, 公开日期: 2010-06-23
张挺; 宋志棠; 刘波; 封松林
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一种三维光子晶体制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101724909A, 申请日期: 2010-06-09, 公开日期: 2010-06-09
王曦; 杨志峰; 武爱民; 魏星
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