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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Threading dislocation density comparison between GaN grown on the patterned and conventional sapphire substrate by high resolution X-ray diffraction 期刊论文 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 465 Zhang, YC; Xing, ZG; Ma, ZG; Chen, Y; Ding, GJ; Xu, PQ; Dong, CM; Chen, H; Le, XY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  FILMS  EPITAXY  ALN