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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Negative-Bias Temperature Instability in Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs: Characteristic Modeling and the Impact on Circuit Aging 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2010 Liu, Changze; Yu, Tao; Wang, Runsheng; Zhang, Liangliang; Huang, Ru; Kim, Dong-Won; Park, Donggun; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/10 Circuit aging  negative-bias temperature instability (NBTI) modeling  process variations  silicon nanowire MOSFET (SNWT)  NBTI DEGRADATION  MOS DEVICES  TRANSISTORS  INTERFACE  RELIABILITY  TRANSPORT  DYNAMICS  CARRIER