QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2010    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 应变硅n-MOSFET中电子迁移率的增强及其温度特性 期刊论文 2010, 2010 张侃; 梁仁荣; 徐阳; 许军; ZHANG Kan; LIANG Renrong; XU Yang; XU Jun 收藏  |  浏览/下载：5/0 采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征(英文) 期刊论文 2010, 2010 梁仁荣; 张侃; 杨宗仁; 徐阳; 王敬; 许军; Liang Renrong; Zhang Kan; Yang Zongren; Xu Yang; Wang Jing; Xu Jun 收藏  |  浏览/下载：3/0 多层复合结构应变硅材料的生长和特性 期刊论文 2010, 2010 梁仁荣; 王敬; 徐阳; 许军; 李志坚; LIANG Renrong; WANG Jing; XU Yang; XU Jun; LI Zhijian 收藏  |  浏览/下载：4/0 埋置量子点应力分布的有限元分析 期刊论文 2010, 2010 周旺民; 蔡承宇; 王崇愚; 尹姝媛; Zhou Wang-Min; Cai Cheng-Yu; Wang Chong-Yu; Yin Shu-Yuan 收藏  |  浏览/下载：2/0 Quantitative strain characterization of SiGe heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy 期刊论文 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 16, 页码: 3433-3435 Zhao CW (Zhao C. W.); Xing YM (Xing Y. M.); Yu JZ (Yu J. Z.); Han GQ (Han G. Q.) 收藏  |  浏览/下载：101/3  |  提交时间：2010/09/07 Si/Ge heterostructures  Strain  High-resolution Transmission electron  microscopy   Normal incidence p-i-n Ge heterojunction photodiodes on Si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407 Zhou ZW (Zhou Zhiwen); He JK (He Jingkai); Wang RC (Wang Ruichun); Li C (Li Cheng); Yu JZ (Yu Jinzhong) 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2010/08/17 Germanium  Hererojunction  Photodiode  Tensile strain   含孔天然纤维织物复合材料力学性能 期刊论文 复合材料学报, 2010, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 195-199 作者:  Wang, Ge;  Chen, Fuming;  Cheng, Haitao;  Li, Xianjun 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/28 双轴向拉伸  含孔复合材料  数字散斑相关方法  应变