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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文 thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 Hao RT (Hao Ruiting); Deng SK (Deng Shukang); Shen LX (Shen Lanxian); Yang PZ (Yang Peizhi); Tu JL (Tu Jielei); Liao H (Liao Hua); Xu YQ (Xu Yingqiang); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: art. no. 151904 作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：186/32  |  提交时间：2010/05/04 alloying  annealing  electrical conductivity  excitons  II-VI semiconductors  magnesium compounds  MOCVD coatings  photoluminescence  positron annihilation  semiconductor thin films  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors  zinc compounds  SEMICONDUCTORS  EMISSION  ORIGIN  DIODES   Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 2455-2459 Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Liu JQ (Liu J. Q.); Xu B (Xu B.); Ye XL (Ye X. L.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：267/60  |  提交时间：2010/09/07 Quantum dots  Temperature dependent  Photoluminescence  Surface localized centers