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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2010 [2]
学科主题
光电子学 [2]
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发表日期:2010
学科主题:光电子学
内容类型:期刊论文
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Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector
期刊论文
: journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 492, 期号: 1-2, 页码: 300-302
作者:
Zhu JJ
;
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
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提交时间:2010/04/13
Nitride materials
Photoconductivity and photovoltaics
Computer simulations
FILMS
Pseudo-Rhombus-Shaped Subwavelength Crossed Gratings of GaAs for Broadband Antireflection
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: article no.124210
作者:
Chen X
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浏览/下载:62/5
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提交时间:2011/07/06
SILICON
REFLECTION
ABSORPTION
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