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物理研究所 [2]
西安光学精密机械研究... [2]
内容类型
专利 [2]
期刊论文 [2]
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2009 [4]
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发表日期:2009
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Epitaxial wafer for a semiconductor light emitting device, method for fabricating the same and semiconductor light emitting device
专利
专利号: US7622745, 申请日期: 2009-11-24, 公开日期: 2009-11-24
作者:
SUZUKI, RYOJI
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser having an improved window layer and method for the same
专利
专利号: US7590158, 申请日期: 2009-09-15, 公开日期: 2009-09-15
作者:
ONO, KENICHI
;
TAKEMI, MASAYOSHI
;
NISHIGUCHI, HARUMI
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/26
Epitaxial growth of ZnO films on thin FeO(111) layers
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2009, 卷号: 311, 期号: 15, 页码: 3918
Xue, MS
;
Guo, QL
;
Wu, KH
;
Guo, JD
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IRON-OXIDE LAYERS
BUFFER LAYER
SURFACE
STATES
ALPHA-AL2O3(0001)
ALPHA-FE2O3
DENSITIES
MO(100)
Ordered ultra thin ZnO films on metal substrate
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 卷号: 255, 期号: 22, 页码: 9015
Guo, DH
;
Xue, MS
;
Guo, QL
;
Wu, KH
;
Guo, JD
;
Wang, EG
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/24
ENERGY-LOSS-SPECTROSCOPY
RESOLVED PHOTOEMISSION-SPECTROSCOPY
SINGLE-CRYSTALLINE ZNO
X-RAY PHOTOEMISSION
MGO BUFFER LAYER
ELECTRONIC-STRUCTURE
GROWTH
SURFACE
SAPPHIRE
ZINC
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