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窒化物半導体発光装置 专利
专利号: JP2009302456A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24
作者:  田村 聡之
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2009302474A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24
作者:  村田 誠;  松村 篤志
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半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに該半導体レーザ素子を備えた電子機器 专利
专利号: JP2009302161A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24
作者:  竹岡 忠士
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光ディスク装置および電源供給方法 专利
专利号: JP4427607B2, 申请日期: 2009-12-18, 公开日期: 2010-03-10
作者:  村上 学;  吹抜 茂;  木村 直樹
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半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザ 专利
专利号: JP2009295879A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
作者:  高橋 博之;  中村 幸治;  久保田 宗親
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半導体発光素子 专利
专利号: JP2009295871A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
作者:  折田 賢児;  吉田 真治;  長谷川 義晃;  持田 篤範
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2009296018A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
作者:  御友 重吾;  成井 啓修
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面発光レーザ 专利
专利号: JP2009295904A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
作者:  堀 雄一郎;  内田 武志;  長友 靖浩
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半導体をその基板から分離する方法 专利
专利号: JP2009270200A, 申请日期: 2009-11-19, 公开日期: 2009-11-19
作者:  リン ウェンユィ;  ホアン シウチョン;  トゥ ポーミン;  スゥ チウポン;  チャン シウスーウン
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レーザ走査光学装置 专利
专利号: JP2009265160A, 申请日期: 2009-11-12, 公开日期: 2009-11-12
作者:  鹿子嶋 一晴;  木下 博喜;  芝田 悦子
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