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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [3]
学科主题
半导体物理 [2]
半导体材料 [1]
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共3条,第1-3条
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发表日期:2009
专题:半导体研究所
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Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
收藏
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浏览/下载:94/14
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提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
收藏
  |  
浏览/下载:50/4
  |  
提交时间:2010/03/08
Band structure
k.p method
Quantum dots
Diluted nitride
Optical gain
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:313/47
  |  
提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
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