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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [6]
学科主题
半导体物理 [3]
半导体化学 [1]
半导体材料 [1]
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共6条,第1-6条
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发表日期:2009
专题:半导体研究所
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Influence of mg doping on gan nanowires
期刊论文
Chemphyschem, 2009, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 571-575
作者:
Zhang, Dongdong
;
Xue, Chengshan
;
Zhuang, Huizhao
;
Sun, Haibo
;
Cao, Yuping
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Crystal growth
Luminescence
Nanostructures
Nitrides
Semiconductor
Structure, magnetization, and low-temperature spin dynamic behavior of zincblende Mn-rich Mn(Ga)As nanoclusters embedded in GaAs
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 5, 页码: art. no. 053912
Wang WZ
;
Deng JJ
;
Lu J
;
Sun BQ
;
Wu XG
;
Zhao JH
收藏
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浏览/下载:214/74
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提交时间:2010/03/08
annealing
Curie temperature
ferromagnetic materials
gallium arsenide
III-V semiconductors
magnetic susceptibility
magnetisation
manganese compounds
nanofabrication
nanostructured materials
RKKY interaction
semiconductor thin films
semimagnetic semiconductors
spin dynamics
Ordered Zinc Antimonate Nanoisland Attachment and Morphology Control of ZnO Nanobelts by Sb Doping
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 22, 页码: 9638-9643
Cheng BC
;
Tian BX
;
Sun W
;
Xiao YH
;
Lei SJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2010/03/08
DOPED ZNO
QUANTUM DOTS
PHOTOLUMINESCENCE
GROWTH
OXIDES
NANOSTRUCTURES
SEMICONDUCTORS
RECOMBINATION
NANOPARTICLES
NANOCRYSTALS
Enhanced infrared emission from colloidal HgTe nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: art. no. 053107
作者:
Tan PH
;
Liu J
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2010/03/08
colloidal crystals
II-VI semiconductors
infrared spectra
mercury compounds
nanostructured materials
photoluminescence
photonic crystals
semiconductor quantum dots
silicon-on-insulator
Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008
作者:
Xu B
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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