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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic structures and mechanical properties of uranium monocarbide from first-principles lda plus u and gga plus u calculations 期刊论文 Physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 39, 页码: 3577-3581 作者:  Shi, Hongliang;  Zhang, Ping;  Li, Shu-Shen;  Sun, Bo;  Wang, Baotian 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 First-principle calculation  Lda plus u  Gga plus u  Elastic constants  Phonon dispersion   Spin states in inas/alsb/gasb semiconductor quantum wells 期刊论文 Physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 11 作者:  Li, Jun;  Yang, Wen;  Chang, Kai 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Spin states in InAs/AlSb/GaSb semiconductor quantum wells 期刊论文 physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: art. no. 035303 作者:  Li J 收藏  |  浏览/下载：155/2  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-HOLE SYSTEM  BAND-STRUCTURE  COMPOUND SEMICONDUCTORS  RELAXATION ANISOTROPY  GAP HETEROSTRUCTURES  OPTICAL-TRANSITIONS  GROUND-STATE  SUPERLATTICES  FIELD  HYBRIDIZATION   Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   Electronic structures and mechanical properties of uranium monocarbide from first-principles LDA plus U and GGA plus U calculations 期刊论文 physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 39, 页码: 3577-3581 Shi HL; Zhang P; Li SS; Sun B; Wang BT 收藏  |  浏览/下载：55/1  |  提交时间：2010/03/08 First-principle calculation  LDA plus U  GGA plus U  Elastic constants  Phonon dispersion   Structural, elastic, and electronic properties of cubic perovskite BaHfO3 obtained from first principles 期刊论文 physica b-condensed matter, 2009, 卷号: 404, 期号: 16, 页码: 2192-2196 Zhao HS; Chang AM; Wang YL 收藏  |  浏览/下载：56/1  |  提交时间：2010/03/08 BaHfO3  Elastic properties  Electronic structures  First-principles calculations   Properties of alyga1-yn/alxga1-xn/aln/gan double-barrier high electron mobility transistor structure 期刊论文 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Guo Lun-Chun;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Ran Jun-Xue;  Wang Cui-Mei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12