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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101582485, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 2009-11-18 刘波; 宋志棠; 张挺; 封松林 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  含有硅化物埋层的SOI材料  SiGe HBT  三维电路   InAs/GaSb II型超晶格红外探测器材料分子束外延生长研究 学位论文 硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 李健 收藏  |  浏览/下载：140/0  |  提交时间：2012/03/06 分子束外延  锑化物  超晶格  红外探测器