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GSMBE制备Ⅲ-Ⅴ化合物半导体纳米管结构材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101591811, 申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2009-12-02
艾立鹍; 徐安怀; 孙浩; 齐鸣; 朱福英
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掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101582485, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 2009-11-18
刘波; 宋志棠; 张挺; 封松林
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