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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2009 [4]
学科主题
半导体物理 [4]
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共4条,第1-4条
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发表日期:2009
学科主题:半导体物理
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Spin states in InAs/AlSb/GaSb semiconductor quantum wells
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: art. no. 035303
作者:
Li J
收藏
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浏览/下载:155/2
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-HOLE SYSTEM
BAND-STRUCTURE
COMPOUND SEMICONDUCTORS
RELAXATION ANISOTROPY
GAP HETEROSTRUCTURES
OPTICAL-TRANSITIONS
GROUND-STATE
SUPERLATTICES
FIELD
HYBRIDIZATION
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:193/43
  |  
提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Electronic structures and mechanical properties of uranium monocarbide from first-principles LDA plus U and GGA plus U calculations
期刊论文
physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 39, 页码: 3577-3581
Shi HL
;
Zhang P
;
Li SS
;
Sun B
;
Wang BT
收藏
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浏览/下载:55/1
  |  
提交时间:2010/03/08
First-principle calculation
LDA plus U
GGA plus U
Elastic constants
Phonon dispersion
Structural, elastic, and electronic properties of cubic perovskite BaHfO3 obtained from first principles
期刊论文
physica b-condensed matter, 2009, 卷号: 404, 期号: 16, 页码: 2192-2196
Zhao HS
;
Chang AM
;
Wang YL
收藏
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浏览/下载:56/1
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提交时间:2010/03/08
BaHfO3
Elastic properties
Electronic structures
First-principles calculations
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