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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2008 [4]
学科主题
半导体材料 [2]
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
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发表日期:2008
专题:半导体研究所
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High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516
Sun, Q
;
Wang, JT
;
Wang, H
;
Jin, RQ
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Zhao, DG
;
Yang, H
;
Zhou, SQ
;
Wu, MF
;
Smeets, D
;
Vantomme, A
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/03/08
STRESS
SI(111)
REDUCTION
THICKNESS
Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111)
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
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浏览/下载:72/3
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACTANT
SUBSTRATE
STRESS
SI
REDUCTION
SAPPHIRE
Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304
作者:
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/03/08
metal-organic chemical vapour deposition
Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 503-506
Yu, LK
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, C
;
Lei, W
;
Sun, J
;
Hu, LJ
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浏览/下载:26/1
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提交时间:2010/03/08
growth interruption
in segregation
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum dots
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