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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [9]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [2]
光电子学 [1]
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发表日期:2008
专题:半导体研究所
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Improved light extraction of gan-based leds with nano-roughened p-gan surfaces
期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3448-3451
作者:
Gao Hai-Yong
;
Yan Fa-Wang
;
Fan Zhong-Chao
;
Li Jin-Min
;
Zeng Yi-Ping
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Electroluminescence from nano-crystalline si/sio2 structures embedded in pn junctions
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165
作者:
Chen, D. Y.
;
Wang, X.
;
Wei, D. Y.
;
Wang, T.
;
Xu, J.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Pecvd
Electroluminescence
P-i-n structures
Fabrication and characterization of gan-based leds grown on nanopatterned sapphire substrates
期刊论文
Physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 7, 页码: 1719-1723
作者:
Gao, Haiyong
;
Yan, Fawang
;
Zhang, Yang
;
Li, Jinmin
;
Zeng, Yiping
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Improvement of the performance of gan-based leds grown on sapphire substrates patterned by wet and icp etching
期刊论文
Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 962-967
作者:
Gao, Haiyong
;
Yan, Fawang
;
Zhang, Yang
;
Li, Jinmin
;
Zeng, Yiping
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Ingan/gan multiple quantum wells
Light-emitting diode
Wet etching
Inductively coupled plasma etching
Fabrication and characterization of GaN-based LEDs grown on nanopatterned sapphire substrates
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 7, 页码: 1719-1723
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
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浏览/下载:82/1
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
IMPROVEMENT
NITRIDE
WET
Fabrication and optical characterization of GaN-based nanopillar light emitting diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3485-3488
Zhu, JH
;
Zhang, SM
;
Sun, X
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Jiang, DS
;
Duan, LH
;
Wang, H
;
Shi, YS
;
Liu, SY
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/03/08
INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA
ARRAYS
NANOSTRUCTURES
LUMINESCENCE
NANORODS
Improvement of the performance of GaN-based LEDs grown on sapphire substrates patterned by wet and ICP etching
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 962-967
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
收藏
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浏览/下载:58/4
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提交时间:2010/03/08
InGaN/GaN multiple quantum wells
light-emitting diode
wet etching
inductively coupled plasma etching
Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Li, Y
;
Yi, XY
;
Wang, XD
;
Guo, JX
;
Wang, LC
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/09
GaN
LED
plasma
damage
etch
ICP
PECVD
Improved light extraction of GaN-based LEDs with nano-roughened p-GaN surfaces
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3448-3451
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Fan, ZC
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
收藏
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2010/03/08
EMITTING-DIODES
EFFICIENCY
OUTPUT
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