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科研机构
微电子研究所 [1]
上海光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [2]
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发表日期:2008
内容类型:期刊论文
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凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 5,2326-2330
作者:
刘果果
;
黄俊
;
魏珂
;
刘新宇
;
和致经
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提交时间:2010/05/27
Gan
干法刻蚀
栅漏电 退火
N空位
半导体器件
半导体量子阱中传播效应对子带间拉比振荡的影响
期刊论文
Chin. Opt. Lett., 2008, 卷号: 6, 期号: 9, 页码: 689, 692
周旭升
;
崔妮
;
祖继锋
;
龚尚庆
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浏览/下载:1344/199
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提交时间:2009/09/18
半导体量子阱
Carrier density
传播效应
Electron interactions
子带间拉比振荡
Inter subband
粒子数布居饭转
Modulation-doped
Multiple quantum wells
Non-linearities
Population inversions
Propagation effects
Quantum wells
Rabi flopping
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