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高密度相变存储器的结构与制备的工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101232038, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30
宋志棠; 刘波; 宝民; 丁晟; 刘卫丽; 封松林
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP2008130869A, 申请日期: 2008-06-05, 公开日期: 2008-06-05
作者:  河村 健
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量子細線構造及び量子箱構造の形成方法 专利
专利号: JP4085445B2, 申请日期: 2008-02-29, 公开日期: 2008-05-14
作者:  向井 幹雄
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