QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：红外探测材料与器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 HgCdTe材料p型掺杂及相关电学性质 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  魏青竹 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/08/22 分子束外延  Hgcdte  电学性质  少子寿命   分子束外延HgCdTe位错及表面缺陷抑制方法 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  傅祥良 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/08/22 分子束外延  Hgcdte  替代衬底  位错  表面缺陷  器件性能   Si基HgCdTe液相外延技术研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  徐庆庆 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/08/14 Si基  液相外延  Hgcdte   GaN/AlGaN紫外探测器的制备与光电特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  陈亮 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/08/22 Gan/algan  Icp刻蚀  器件制备  量子效率