QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of InGaAs/GaAs quantum chains 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 3, 页码: 1908-1912 Wang, BR; Sun, Z; Xu, ZY; Sun, BQ; Ji, Y; Wang, ZM; Salamo, GJ 收藏  |  浏览/下载：71/1  |  提交时间：2010/03/08 InGaAs/GaAs  quantum dots  quantum chains   Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3440-3443 Dou, XM; Sun, BQ; Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 CARRIER RELAXATION  ENERGY RELAXATION  LINE-SHAPE  EMISSION  DENSITY   Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN 期刊论文 solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162 Zhang, Z; Zhang, R; Liu, B; Xie, ZL; Xiu, XQ; Han, R; Lu, H; Zheng, YD; Chen, YH; Tang, CG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：67/2  |  提交时间：2010/03/08 InN  photogalvanic  inter-band transition   Structural, electrical, and optical properties of InAsxSb1-x epitaxial films grown by liquid-phase epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 7, 页码: art. no. 073712 作者:  Wang Y;  Zhang XW;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Carrier spin relaxation in (Ga, Mn) As at room temperature 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 6, 页码: 3857-3861 Liu, XD; Wang, WZ; Gao, RX; Zhao, JH; Wen, JH; Lin, WZ; Lai, TS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/08 (Ga  time-resolved Kerr spectroscopy  electron spin relaxation  DP mechanism  Mn) As diluted magnetic semiconductor   Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  EPITAXIAL GAN  DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  FILMS   Tunneling magnetoresistance in CoFeB/GaAs/(Ga,Mn)As hybrid magnetic tunnel junctions 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 7, 页码: art. no. 07d105 Du, GX; Han, XF; Deng, JJ; Wang, WZ; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/03/08 HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  (GA  MN)AS   Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As 期刊论文 ieee transactions on magnetics, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 2692-2695 作者:  Gan HD 收藏  |  浏览/下载：174/43  |  提交时间：2010/03/08 Magnetic analysis  magnetic semiconductors  molecular-beam epitaxial growth