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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280 Cui, JP; Wang, XF; Duan, Y; He, JX; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 THIN-FILMS  BULK ZNO  SCATTERING  PRESSURE   Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100 Lin, GQ; Zeng, YP; Wang, XL; Liu, HX 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/08 RHEED  INTERLAYER  PRESSURE  NITRIDES  LAYERS  MBE   Oxygen pressure dependences of structure and properties of ZnO films deposited on amorphous glass substrates by pulsed laser deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 2225-2229 part 1 Zhu, BL; Zhao, XZ; Xu, S; Su, FH; Li, GH; Wu, XG; Wu, J; Wu, R; Liu, J 收藏  |  浏览/下载：42/2  |  提交时间：2010/03/08 laser ablation  zinc oxide  deposition process  optical properties  electrical properties and measurements   MOCVD growth of InN using a GaN buffer 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85 作者:  Yang H;  Wang LL;  Wang H;  Yang H;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 surface   Comment on 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 156102 Zhou ZW; Li C; Chen SY; Lai HK; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/08 THERMAL-EXPANSION   Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As 期刊论文 ieee transactions on magnetics, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 2692-2695 作者:  Gan HD 收藏  |  浏览/下载：174/43  |  提交时间：2010/03/08 Magnetic analysis  magnetic semiconductors  molecular-beam epitaxial growth   The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 Luo, WJ; Wang, XL; Guo, LC; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Li, JP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：85/1  |  提交时间：2010/03/08 gallium nitride crack  low temperature aluminum nitride  interlayer  silicon