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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107 Zhang BL; Sun GS; Guo Y; Zhang PF; Zhang RQ; Fan HB; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：233/42  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  indium compounds  interface states  semiconductor heterojunctions  silicon compounds  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2282-2285 Kazanskii, AG; Kong, GL; Zeng, XB; Hao, HY; Liu, FZ 收藏  |  浏览/下载：105/29  |  提交时间：2010/03/08 silicon  conductivity  chemical vapor deposition  microcrystallinity  absorption  photoconductivity