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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Planar InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiode with Cascade Edge Breakdown Suppression 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1686-1691 作者:  Wu Meng 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/23 High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz 期刊论文 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 Wang, XL; Chen, TS; Xiao, HL; Wang, CM; Hu, GX; Luo, WJ; Tang, J; Guo, LC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：78/1  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMTs  SiC  power   High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 Ji, G; Sun, GS; Ning, J; Liu, XF; Zhao, YM; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/09