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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律 期刊论文 物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 6, 页码: 3818-3822 商丽燕; 林铁; 周文政; 郭少令; 李东临; 高宏玲; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 Mn-including InAs quantum dots fabricated by Mn implantation 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2869-2873 Hu, LJ; Chen, YH; Ye, XL; Jiao, YH; Shi, LW; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/03/08 Mn-including  InAs quantum dots  PL  magnetic   The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition 期刊论文 vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500 Zhu, BL; Sun, XH; Zha, XZ; Su, FH; Li, GH; Wu, XG; Wu, J; Wu, R; Liu, J 收藏  |  浏览/下载：47/1  |  提交时间：2010/03/08 PLD  ZnO films  substrate temperature  crystal quality  grain size  optical properties   高平均功率全固态激光器发展现状、趋势及应用 期刊论文 激光与光电子学进展, 2008, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 16-29 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472 作者:  Yang T 收藏  |  浏览/下载：253/54  |  提交时间：2010/03/08 Metalorganic chemical vapor deposition  Quantum dots  InAs  GaAs  Laser diodes   InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 2121-2124 作者:  金鹏;  吕雪芹 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1334-1337 作者:  王晓峰 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 电子束辐照下单壁碳纳米管的结构不稳定性 期刊论文 功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 268-272 苏江滨; 孟焘; 李论雄; 王占国; 朱贤方 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23