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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of growth temperature of AlGaN buffer layer on the properties of A1(0.58)Ga(0.42)N epilayer by NH3-MBE 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 10, 页码: 3405-3409 Wang XY (Wang Xiaoyan); Wang XL (Wang Xiaoliang); Wang BZ (Wang Baozhu); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang JX (Wang Junxi); Zeng YP (Zeng Yiping); Li AN (Li Antnin) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Correlation between optical and structural properties of (Al,Ga)N layers grown by MOCVD 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 1, 页码: 294-298 Jahn U (Jahn Uwe); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Ploog KH (Ploog Klaus H.); Wang XL (Wang Xiaolan); Zhao DG (Zha0 Degang); Yang H (Yang, Hui) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION