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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2007 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2007
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Effects of growth temperature of AlGaN buffer layer on the properties of A1(0.58)Ga(0.42)N epilayer by NH3-MBE
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2007, 卷号: 204, 期号: 10, 页码: 3405-3409
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li AN (Li Antnin)
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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