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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2006     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响 期刊论文 半导体学报, 2006, 期号: 01 金波; 王曦; 陈静; 张峰; 程新利; 陈志君 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 可重配平台  Tcl/Tk  SPARCV8架构  星载计算机内核   高浓度弛豫SiGe/SOI材料的制备研究 期刊论文 苏州科技学院学报, 2006, 期号: 01 程新利; 张峰 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 金属材料  TiN  MOCVD  等离子体处理  薄膜电阻