QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Narrow stripe selective growth of oxide-free ingaalas/ingaalas mqws by ultra-low pressure movpe 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 841-845 作者:  Feng, W.;  Pan, J. Q.;  Zhou, F.;  Yang, H.;  Zhao, L. J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Algainas narrow stripe selective growth on substrates patterned with different mask designs 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 2330-2334 作者:  Feng, W;  Pan, JQ;  Yang, H;  Hou, LP;  Zhou, F 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105 Wang JF (Wang J. F.); Yao DZ (Yao D. Z.); Chen J (Chen J.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  STRESS EVOLUTION  DEFECT STRUCTURE  EPITAXIAL GAN  THIN-FILMS  ALGAN  DISLOCATIONS  RELAXATION  REDUCTION   Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162 Ai B; Shen H; Liang ZC; Chen Z; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 chemical vapour deposition  electrical properties and measurements  scanning electron microscopy  polycrystalline silicon  GRAIN-BOUNDARIES  STATES   Optical properties of GaN wurtzite quantum wires 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3107-3115 Zhang XW; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  POLARIZATION ANISOTROPY  ELECTRONIC-STRUCTURE  ZNO NANOWIRES  PHOTOLUMINESCENCE  NANORODS  SPHERES  GROWTH   MQW electroabsorption modulator-integrated DFB laser modules for high-speed transmission 期刊论文 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 734-739 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  MONOLITHIC INTEGRATION  SELECTIVE GROWTH  LAYERS  DIODE  MOVPE   The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 Wu DH; Niu ZC; Zhang SY; Ni HQ; He ZH; Sun Z; Han Q; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  nitrides  semiconducting III-V materials  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  LASER-DIODES  TEMPERATURE  SURFACTANT  EMISSION  NITROGEN  ORIGIN   Narrow stripe selective growth of oxide-free InGaAlAs/InGaAlAs MQWs by ultra-low pressure MOVPE 期刊论文 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 841-845 Feng W (Feng W.); Pan JQ (Pan J. Q.); Zhou F (Zhou F.); Yang H (Yang H.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  QUANTUM-WELL STRUCTURES  BANDGAP ENERGY CONTROL  LAYERS  INGAASP   Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108 作者:  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ENERGY-GAP  100 GAAS  INASSB  INAS1-XSBX  ALLOYS  INSB  TRANSPORT  LAYERS   AlGaInAs narrow stripe selective growth on substrates patterned with different mask designs 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 2330-2334 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  BANDGAP ENERGY CONTROL  QUANTUM-WELL LASERS  PRESSURE MOVPE  AREA GROWTH  INGAALAS  LAYERS