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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A complex Fourier transformation study of the contactless electroreflectance of an undoped-n(+) GaAs structure 期刊论文 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 786-789 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 DELTA-DOPED GAAS  FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  BUILT-IN FIELD  FERMI-LEVEL  PHOTOREFLECTANCE  SURFACE  SPECTROSCOPY   Strong in-plane optical anisotropy of asymmetric (001) quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.096102 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  INTERFACES   Raman scattering detection of stacking faults in free-standing cubic-SiC epilayer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 2834-2837 Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2010/04/11 SPECTROSCOPY  GROWTH  POLYTYPES  SILICON   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   Raman evidence for atomic correlation between the two constituent tubes in double-walled carbon nanotubes 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 11, 页码: art.no.115430 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/11 DIAMETER DISTRIBUTION  D-BAND  SCATTERING  SPECTROSCOPY  GRAPHITE  ORIGIN   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：93/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Photoinduced spin alignment of the magnetic ions in (Ga,Mn)As 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: art.no.083104 Sun BQ (Sun Baoquan); Jiang DS (Jiang Desheng); Sun Z (Sun Zheng); Ruan XZ (Ruan Xuezhong); Deng JJ (Deng Jiajun); Zhao JH (Zhao Jianhua); Ji Y (Ji Yang); Xu ZY (Xu Zhongying) 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2010/04/11 CDTE/CD1-XMNXTE QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES  LARMOR PRECESSION  MN2+ MOMENTS  DYNAMICS  POLARONS  SPECTROSCOPY  ORGANIZATION  CD1-XMNXSE  CARRIERS   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   Electronic structure of ZnO wurtzite quantum wires 期刊论文 european physical journal b, 2006, 卷号: 49, 期号: 4, 页码: 415-420 Xia JB (Xia J. B.); Zhanga XW (Zhang X. W.) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 LOW-TEMPERATURE GROWTH  BINDING-ENERGIES  NANOWIRE ARRAYS  PHOTOLUMINESCENCE  PHOTODETECTORS  SPECTROSCOPY  SAPPHIRE  CRYSTAL  GAN