QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Potential frequency bandwidth estimation of TO packaging techniques for photodiode modules 期刊论文 optical and quantum electronics, 2006, 卷号: 38, 期号: 8, 页码: 675-682 Zhang SJ (Zhang S. J.); Zhu NH (Zhu N. H.); Liu Y (Liu Y.); Xie L (Xie L.) 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/04/11 packaging  photodiode  photodiode module  scattering parameters measurement  LASER   MBE InAs quantum dots grown on metamorphic InGaAs for long wavelength emitting 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 194-198 Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 metamorphic  long wavelength  quantum dots  molecular beam epitaxy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  1.3 MU-M  GAAS  EMISSION  RANGE  ISLANDS  ARRAYS  LASERS   Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Ye XL (Ye X. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  quantum dots  indium arsenide  1.3 MU-M  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE-EPITAXY  GAAS  LUMINESCENCE  SUBSTRATE  ISLANDS  DENSITY  LASERS  LAYER   Mode characteristics for equilateral triangle optical resonators 期刊论文 ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 59-65 作者:  Yu LJ 收藏  |  浏览/下载：450/9  |  提交时间：2010/04/11 microcavities  microlasers  optical resonators  semiconductor lasers  SEMICONDUCTOR MICROLASERS  PADE-APPROXIMATION  QUALITY FACTORS  FDTD TECHNIQUE  WAVE-GUIDE  LASERS  FREQUENCIES   Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots 期刊论文 electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/04/11 SEMICONDUCTOR-DEVICES  TRANSPORT  STATES  BISTABILITY  VOLTAGE  LASERS  DIODE   Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots 期刊论文 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 606-610 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2010/04/11 nanostructures  semiconductors  optical properties  luminescence  WAVELENGTH  NANOSTRUCTURES  INTERBAND  LASERS