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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2006 [4]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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发表日期:2006
专题:半导体研究所
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As-doped p-type zno films by sputtering and thermal diffusion process
期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wang, Peng
;
Chen, Nuofu
;
Yin, Zhigang
;
Yang, Fei
;
Peng, Changtao
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Characteristic of rapid thermal annealing on gain(n)(sb)as/gaas quantum well grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Zhao, H
;
Xu, YQ
;
Ni, HQ
;
Zhang, SY
;
Wu, DH
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Characteristic of rapid thermal annealing on GaIn(N)(Sb)As/GaAs quantum well grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: art.no.034903
作者:
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:121/0
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提交时间:2010/04/11
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
OPTICAL-PROPERTIES
LASERS
NITROGEN
ORIGIN
As-doped p-type ZnO films by sputtering and thermal diffusion process
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.043704
Wang P (Wang Peng)
;
Chen NF (Chen Nuofu)
;
Yin ZG (Yin Zhigang)
;
Yang F (Yang Fei)
;
Peng CT (Peng Changtao)
;
Dai RX (Dai Ruixuan)
;
Bai YM (Bai Yiming)
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/04/11
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