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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic structure and binding energy of a hydrogenic impurity in a hierarchically self-assembled gaas/alxga1-xas quantum dot 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: 5 作者:  Li, Shu-Shen;  Xia, Jian-Bai 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in gaas 期刊论文 Physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: 4 作者:  Li, J;  Carrier, P;  Wei, SH;  Li, SS;  Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs 期刊论文 physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505 Li J; Carrier P; Wei SH; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/04/11 DILUTED GANXAS1-X ALLOYS  GROUP-IV DONORS  SEMICONDUCTOR ALLOYS  OPTICAL-PROPERTIES  BAND  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  HYDROGEN   Electronic structure and binding energy of a hydrogenic impurity in a hierarchically self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs quantum dot 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: art.no.083714 Li SS (Li Shu-Shen); Xia JB (Xia Jian-Bai) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/04/11 SEMICONDUCTORS  STATES