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浏览/检索结果: 共77条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Correlation between optical and electrical properties in In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs metamorphic high-electron-mobility-transistor structures on GaAs substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 3, 页码: art.no.033705 Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang BQ (Wang B. Q.); Zhu ZP (Zhu Z. P.); Guo SL (Guo S. L.); Chu JH (Chu J. H.) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/04/11 QUANTUM-WELL STRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA  HEMTS   Evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 7, 页码: art.no.071903 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：549/12  |  提交时间：2010/04/11 GROWTH  INAS  GAAS  SURFACES   Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EDGE DISLOCATIONS  GAN  FILMS  SUPERLATTICES  RELAXATION  STRAIN   Thermal lensing effect in ridge structure InGaN multiple quantum well laser diodes 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Li DY (Li D. Y.); Huang YZ (Huang Y. Z.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Ye XJ (Ye X. J.); Chong M (Chong M.); Chen LH (Chen L. H.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR  WAVE-GUIDE LASER  GAN SUBSTRATE  INDEX  TEMPERATURE  GAIN   Room-temperature ferromagnetism in zinc-blende and deformed CrAs thin films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 14, 页码: art.no.142509 作者:  Zheng YH 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MULTILAYER  ABSORPTION  GAAS  CRSB   Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205 Tan PH (Tan P. H.); Luo XD (Luo X. D.); Xu ZY (Xu Z. Y.); Zhang Y (Zhang Y.); Mascarenhas A (Mascarenhas A.); Xin HP (Xin H. P.); Tu CW (Tu C. W.); Ge WK (Ge W. K.) 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/04/11 HOT PHOTOLUMINESCENCE  GALLIUM-ARSENIDE  GAAS  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SCATTERING   Strong in-plane optical anisotropy of asymmetric (001) quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.096102 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  INTERFACES   Large g factors of higher-lying excitons detected with reflectance difference spectroscopy in GaAs-based quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 5, 页码: art.no.051903 Chen YH (Chen Y. H.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu B.); Wang ZG (Wang Z. G.); Yang Z (Yang Z.) 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/04/11 EXCHANGE INTERACTION  HEAVY-HOLE  ELECTRON  SUPERLATTICES   Mode softening in charge-density excitations of a two-dimensional electron gas driven by Rashba spin-orbit interaction 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 16, 页码: art.no.165309 Wu XG (Wu X. G.); Xu LJ (Xu L. J.); Zheng HZ (Zheng H. Z.) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/04/11 LANDAU-LEVELS  SEMICONDUCTORS  LAYERS  WAVE   Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：712/6  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE CONDUCTION  THIN-FILMS  OHMIC CONTACTS