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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜 期刊论文 半导体技术, 2006, 期号: 03 陶凯; 俞跃辉; 郑智宏; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 图形化PSOI  横向双扩散MOSFET  击穿电压  结构优化