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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [3]
学科主题
半导体物理 [3]
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发表日期:2006
学科主题:半导体物理
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The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Stochastic resonance in single-mode semiconductor lasers
期刊论文
physica a-statistical mechanics and its applications, 2006, 卷号: 368, 期号: 1, 页码: 31-37
Wang J
;
Bai YM
;
Cao L
;
Wu DJ
;
Ma XY
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提交时间:2010/04/11
stochastic resonance
carrier noise
photon noise
semiconductor lasers
linear approximation method
MODULATED BISTABLE SYSTEMS
RING LASER
NOISE
DRIVEN
GAIN
Influence of nitridation time on the morphology of GaN nanorods synthesized by nitriding Ga2O3/ZnO films
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 117-120
Gao HY (Gao Haiyong)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/04/11
GaN nanorods
Ga2O3/ZnO films
RF magnetron sputtering
nitridation
OPTICAL-PROPERTIES
LASER-DIODES
ZNO
SUBSTRATE
NANOWIRES
LAYER
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