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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interplay between s-d exchange interaction and Rashba effect: Spin-polarized transport 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: art.no.132112 Yang W (Yang W.); Chang K (Chang Kai); Wu XG (Wu X. G.); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Peeters FM (Peeters F. M.) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 INJECTION  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  TEMPERATURE   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM   Quantum measurement of single electron state by a quantum point contact 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3259-3264 Hu XN (Hu Xue-Ning); Li XQ (Li Xin-Qi) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum measurement  qubit  detailed balance  delocalization  DOT  DIFFUSION  DETECTOR   Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145 Gong Z; Niu ZC; Fang ZD 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-DOT SUPERLATTICES  VICINAL GAAS(001)  GAAS  WIRES  POLARIZATION  GROWTH  WELLS  TEMPERATURE  MECHANISM