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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192 Kong LM; Cai JF; Wu ZY; Gong Z; Niu ZC; Feng ZC 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 time-resolved photoluminescence  InAs self-assembled QDs  migration of carriers  1.3 MU-M  DEPENDENT RADIATIVE DECAY  THERMAL REDISTRIBUTION  EXCITONS  RECOMBINATION  RELAXATION  LIFETIMES  EMISSION  EPITAXY  LASERS   Raman evidence for atomic correlation between the two constituent tubes in double-walled carbon nanotubes 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 11, 页码: art.no.115430 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 DIAMETER DISTRIBUTION  D-BAND  SCATTERING  SPECTROSCOPY  GRAPHITE  ORIGIN   Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures 期刊论文 journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79 Kong LM (Kong Lingmin); Cai JF (Cai Jiafa); Wu ZY (Wu Zhengyun); Gong Z (Gong Zheng); Fang ZD (Fang Zhidan); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 InGaAs layer  InAs quantum dots  time-resolved PL spectra  1.3 MU-M  CARRIER DYNAMICS  LASERS  GROWTH  WAVELENGTH  EMISSION  ISLANDS  LAYERS  SIZE