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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2006 [5]
学科主题
半导体材料 [5]
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发表日期:2006
学科主题:半导体材料
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High uniformity of self-organized InAs quantum wires on InAlAs buffers grown on misoriented InP(001)
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: art.no.123104
作者:
Ye XL
;
Jin P
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/04/11
NANOWIRES
THRESHOLD
WELLS
INP
Synthesis and photoluminescence properties of vertically aligned ZnO nanorod-nanowall junction arrays on a ZnO-coated silicon substrate
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 15, 页码: 3740-3744
Li C (Li Chun)
;
Fang GJ (Fang Guojia)
;
Su FH (Su Fuhai)
;
Li GH (Li Guohua)
;
Wu XG (Wu Xiaoguang)
;
Zhao XZ (Zhao Xingzhong)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
TEMPERATURE-DEPENDENT PHOTOLUMINESCENCE
OPTICAL-PROPERTIES
ZINC-OXIDE
THIN-FILMS
VAPOR-DEPOSITION
SI SUBSTRATE
NANOWIRES
GROWTH
EMISSION
EPITAXY
Shape and spatial correlation control of InAs-InAlAs-InP(001) nanostructure superlattices
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.063114
作者:
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/04/11
VERTICAL SELF-ORGANIZATION
QUANTUM WIRES
SURFACE
GROWTH
ALLOY
INALAS/INP(001)
NANOWIRES
INP(001)
ISLANDS
ARRAYS
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
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