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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文 原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619 作者:  赵强 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23 Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Wang, CM; Wang, XL; Hu, GX; Wang, JX; Li, JP 收藏  |  浏览/下载：120/30  |  提交时间：2010/03/29 HIGH BREAKDOWN VOLTAGE  MOBILITY TRANSISTORS  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  GANHEMTS   Low -temperature preparation of ZnO films on Si substrates by MOCVD 期刊论文 功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-66 作者:  Wang Jun;  Wang Jun 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 283-287 Li Z (Li Z.); Li CJ (Li C. J.) 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/04/11 DLTS  defects  detectors  sensors  current transient  SILICON DETECTORS   P-doped p-type ZnO films deposited on Si substrate by radio-frequency magnetron sputtering 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 15, 页码: art.no.152102 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 掺铕GaN薄膜的Raman散射研究 期刊论文 中国稀土学报, 2006, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 279-283 张春光; 卞留芳; 陈维德 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/23 忆N.F.Mott教授 期刊论文 物理, 2006, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 524-525 许振嘉 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/11/23 The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418 Wang CM; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Xiao HL; Li JP 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 2DEG  MOCVD  semiconducting III-V materials  HEMT  power devices  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  SAPPHIRE  ALGAN  FIELD  GAS   Raman scattering study on vibrational modes in Ga1-xMnxN prepared by Mn-ion implantation 会议论文 11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005 Islam MR; Chen NF; Yamada M 收藏  |  浏览/下载：127/8  |  提交时间：2010/03/29 Raman scattering   Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Wang, XL; Wang, CM; Hu, GX; Wang, JX; Li, JP 收藏  |  浏览/下载：154/51  |  提交时间：2010/03/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  BULK GAN  OPTIMIZATION  LAYERS  HEMTS