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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文 原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619 作者:  赵强 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23