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带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者:  赵强
收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2010/11/23
单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性 期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 2044-2048
周文政; 姚炜; 朱博; 仇志军; 郭少令; 林铁; 崔利杰; 桂永胜; 褚君浩
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2010/11/23
Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293
Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang BQ (Wang B. Q.); Zhu ZP (Zhu Z. P.)
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2010/04/11
Heterojunction solar cells with n-type nanocrystalline silicon emitters on p-type c-Si wafers 期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1972-1975
Xu Y (Xu Ying); Hu ZH (Hu Zhihua); Diao HW (Diao Hongwei); Cai Y (Cai Yi); Zhang SB (Zhang Shibin); Zeng XB (Zeng Xiangbo); Hao HY (Hao Huiying); Liao XB (Liao Xianbo); Fortunato E (Fortunato Elvira); Martins R (Martins Rodrigo)
收藏  |  浏览/下载:49/0  |  提交时间:2010/04/11
Low -temperature preparation of ZnO films on Si substrates by MOCVD 期刊论文
功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-66
作者:  Wang Jun;  Wang Jun
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2010/11/23
Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 337-340
Zhou HY; Qu SC; Wang ZG; Liang LY; Cheng BC; Liu JP; Peng WQ
收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2010/04/11
忆N.F.Mott教授 期刊论文
物理, 2006, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 524-525
许振嘉
收藏  |  浏览/下载:89/0  |  提交时间:2010/11/23
Synthesis and photoluminescence of ZnS : Cu nanoparticles 期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 29, 期号: 2-3, 页码: 313-317
Peng WQ (Peng W. Q.); Cong GW (Cong G. W.); Qu SC (Qu S. C.); Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2010/04/11
Investigation on Fe, Mn, Zn, Cu, Pb and Cd fractions in the natural surface coatings sampled and surficial sediments collected in the Songhua River, China 期刊论文
journal of environmental sciences, 2006, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1193-1198
Guo Shuhai; Wang Xiaoli; Li Yu; Chen Jiejiang; Yang Juncheng
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2010/11/23
MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525
作者:  Xiao Hongling;  Wang Cuimei
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